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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NCP5109BDR2G | High Voltage, High and Low Side Driver 文件：120.95 Kbytes Page：18 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
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NCP5109BDR2G | 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器 | ONSEMI 安森美半导体 | |
NCP5109BDR2G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NCP5109BDR2G
- 功能描述
功率驱动器IC HIGH VOLT MOSFET DRIVER
- RoHS
否
- 制造商
Micrel
- 产品
MOSFET Gate Drivers
- 类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
- 电源电压-最大
30 V
- 电源电压-最小
2.75 V
- 最大工作温度
+ 85 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-8
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOP-8 |
32360 |
ONSEMI/安森美全新特价NCP5109BDR2G即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
ON/安森美 |
21+ |
SOIC-8_150mil |
10000 |
全新原装现货 |
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ON Semiconductor |
24+ |
8-SOIC |
65200 |
一级代理/放心采购 |
|||
ON/安森美 |
24+ |
SOIC-8_150mil |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
|||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
|||
ON |
24+ |
sop |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
|||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
|||
onsemi |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
||||
ON |
ROHS+Original |
NA |
2500 |
专业电子元器件供应链/QQ 350053121 /正纳电子 |
|||
ON/安森美 |
2023+ |
SOP8 |
45000 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
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进口代理
2023-10-31NCP51560BBDWR2G
NCP51560BBDWR2G
2023-2-27NCP45780IMN24RTWG 全新原装
NCP45780IMN24RTWG
2022-8-9NCP4641H080T1G稳压芯片
NCP4641H080T1G 稳压芯片
2019-11-19NCP5201-双输出DDR电源控制器
说明 在NCP5201双DDR电源控制器是专门作为一个整体功率解决方案专为高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器的效率VDDQ电压的线性稳压器为简单的VTT存储器终端电压。二次调节器（VTT）的是设计为自动跟踪一半的初级稳压器（VDDQ的）。内部电源良好电压监控器同时跟踪VDDQ和VTT的输出，并通知在出现故障时，用户其中一项输出。保护功能包括软启动电路和欠压监测VCC和VSTBY。该集成电路的封装5× 6的QFN- 18。 特点 •搭载VDDQ的，的VTT稳压器 •内
2013-2-17NCP5203-2合1 DDR电源控制器
说明 在NCP5203 2合1 DDR电源控制器是一个完整的电源解决方案一符合ACPI高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器提供VDDQ效率提供的线性稳压器为简单的VTT终止电压。该NCP5203包含一个同步PWM降压控制器用于驱动两个外部NFETs形成的DDR内存供电电压（VDDQ的）。的？2.0用户可调的VTT终止调节器具有短路保护。一个内部电源同时监视功能良好的VDDQ和Vtt输出和信号如果发生故障。保护功能包括软启动，欠压监测5VDUAL，过电流保护（OCP的）和热关机。该集成电路的封装18引脚QFN封装。 特点
2013-2-17
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