NCP348GEVB芯片数据手册现货行情报价ONSEMI-IC资料网

登录注册

芯片资料

精确

参考价格：￥434.1094

型号：NCP348GEVB 品牌：ONSemi 备注：这里有NCP348GEVB多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NCP348GEVB批发/采购报价，NCP348GEVB行情走势销售排行榜，NCP348GEVB报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
NCP348GEVB	功能：电路保护包装：盒描述：EVAL BOARD FOR NCP348G 开发板，套件，编程器评估和演示板及套件	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
LM348	Quad 741 Op Amps LM149 Wide Band Decompensated (AV MIN = 5) 文件：388.73 Kbytes Page：15 Pages	NSC 国半	NSC
LM348J	Quad 741 Op Amps LM149 Wide Band Decompensated (AV MIN = 5) 文件：388.73 Kbytes Page：15 Pages	NSC 国半	NSC
LM348M	Quad 741 Op Amps LM149 Wide Band Decompensated (AV MIN = 5) 文件：388.73 Kbytes Page：15 Pages	NSC 国半	NSC
LM348MX	Quad 741 Op Amps LM149 Wide Band Decompensated (AV MIN = 5) 文件：388.73 Kbytes Page：15 Pages	NSC 国半	NSC
LM348N	Quad 741 Op Amps LM149 Wide Band Decompensated (AV MIN = 5) 文件：388.73 Kbytes Page：15 Pages	NSC 国半	NSC

NCP348GEVB供应商更多...

更新时间：2026-5-17 20:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	NCP348GEVB	onsemi(安森美)	25+	-	22412	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	NCP348MTTBG	ON/安森美	25+	ROHS	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市胜彬电子有限公司	NCP348MTTBG	ON	22+	QFN	3000	原装正品,支持实单	询价
深圳市壹芯创科技有限公司	NCP348MTTBG	ON	22+	QFN	5000	全新原装现货!价格优惠!可长期	询价
深圳市亿联芯电子科技有限公司	NCP348MTTBG	ON/安森美	2023+	QFN	6895	原厂全新正品旗舰店优势现货	询价
深圳诚思涵科技有限公司	NCP348MTTBG	ON	18+	DFN10	85600	保证进口原装可开17%增值税发票	询价
深圳市纳立科技有限公司	NCP348MTTBG		三年内		1983	只做原装正品	询价
深圳市创新迹电子有限公司	NCP348MTTBG	ON	22+	WDFN-10	20000	公司只做原装品质保障	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	NCP348MTTBG	ON	最新	WDFN-10	9600	原装公司现货假一罚十特价欢迎来电咨询	询价
深圳市达恩科技有限公司	NCP348MTTBG	ON	24+	NA	3000	进口原装假一罚十现货	询价

NCP4318ALLDR2G
onsemi 的双通道同步整流 (SR) 控制器系列具有自适应死区时间控制
2023-11-18
NCP3170ADR2G
www.58chip.com
2022-5-11
NCP3418BDR2G 原装正品. 仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-25
NCP43080ADR2G
NCP43080ADR2G
2021-8-19
NCP361SNT1G
MSOP-12 电流和电力监控器、调节器 , Current Monitors High Side 电流和电力监控器、调节器 , Current Monitors 电流和电力监控器、调节器 , INA202 电流和电力监控器、调节器 , MAX17525 电流和电力监控器、调节器 , Power Monitors SMD/SMT 电流和电力监控器、调节器
2020-9-22
NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25 ns的传播延迟了3000 pF的负载和20 ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围，高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压，高达30伏，以高达35五，两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用（外径）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低，一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26