位置:首页 > IC中文资料 > NCP347MTAFBG

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

FAMILY OF JFET OPERATIONAL AMPLIFIERS

JFET Input Operational Amplifiers These low cost JFET input operational amplifiers combine two state–of–the–art analog technologies on a single monolithic integrated circuit. Each internally compensated operational amplifier has well matched high voltage JFET input devices for low input offset vo

MOTOROLA

摩托罗拉

FAMILY OF JFET OPERATIONAL AMPLIFIERS

JFET Input Operational Amplifiers These low cost JFET input operational amplifiers combine two state–of–the–art analog technologies on a single monolithic integrated circuit. Each internally compensated operational amplifier has well matched high voltage JFET input devices for low input offset vo

MOTOROLA

摩托罗拉

Wide Bandwidth Quad JFET Input Operational Amplifiers

文件:406.13 Kbytes Page:13 Pages

NSC

国半

Wide Bandwidth Quad JFET Input Operational Amplifiers

文件:406.13 Kbytes Page:13 Pages

NSC

国半

Wide Bandwidth Quad JFET Input Operational Amplifiers

文件:406.13 Kbytes Page:13 Pages

NSC

国半

更新时间:2026-3-18 16:14:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NS
03+
DIP-14
25
原装现货海量库存欢迎咨询
NS
24+
SOPDIP
181121
全新原装正品!现货库存!可开13点增值税发票
TI
23+
NA
8021
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价,原装元器件供应,支持开发样品
NS
2015+
SOP/DIP
19889
一级代理原装现货,特价热卖!
17+
6200
100%原装正品现货
TI
24+
DIP
5000
TI一级代理商原装进口现货
NS
24+
DIP
131
TI
24+
DIP/14
4652
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!
nsc
24+
N/A
6980
原装现货,可开13%税票
TI
24+
14-PDIP
3000

NCP347MTAFBG数据表相关新闻

  • NCP4318ALLDR2G

    onsemi 的双通道同步整流 (SR) 控制器系列具有自适应死区时间控制

    2023-11-18
  • NCP3170ADR2G

    www.58chip.com

    2022-5-11
  • NCP3418BDR2G 原装正品. 仓库现货

    华富芯深圳智能科技 有限公司

    2021-11-25
  • NCP43080ADR2G

    NCP43080ADR2G

    2021-8-19
  • NCP361SNT1G

    MSOP-12 电流和电力监控器、调节器 , Current Monitors High Side 电流和电力监控器、调节器 , Current Monitors 电流和电力监控器、调节器 , INA202 电流和电力监控器、调节器 , MAX17525 电流和电力监控器、调节器 , Power Monitors SMD/SMT 电流和电力监控器、调节器

    2020-9-22
  • NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用

    NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25 ns的传播延迟了3000 pF的负载和20 ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围,高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部,自适应非重叠电路,进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压,高达30伏,以高达35五,两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用(外径)引脚。欠压锁定功能,确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低,一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34

    2013-2-26