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芯片资料

参考价格：￥694.5750

型号：NCP3066SCBCKGEVB 品牌：ONSemi 备注：这里有NCP3066SCBCKGEVB多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NCP3066SCBCKGEVB批发/采购报价，NCP3066SCBCKGEVB行情走势销售排行榜，NCP3066SCBCKGEVB报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业
NCP3066SCBCKGEVB	包装：盒描述：EVAL BOARD FOR NCP3066SCBCKG 开发板，套件，编程器评估板 - LED 驱动器	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
3066	WASHERSANDNUTS [KEYSTONE] FIBRESHOULDERWASHERS HEXMACHINENUTS NYLONSHOULDERWASHER/BUSHINGS BLINDCAPTIVENUTS-PRESSFIT METRICMACHINENUTS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
3066A	Inst,16Tri#18StrBC,PVC-NYLInsE1,IS/OS,BlkPVCJkt,600VTC-ER150VNPLF90CDry75CWet ProductDescription ULInstrumentation,16Triad18AWG(7x26)BareCopper,PVC-NYLInsulationE1ColorCode,Individual&OverallBeldfoil®Shield,BlackPVCOuterJacket, 600VTC-ER150VNPLF90CDry75CWetSUNRESDIRBUR	BELDEN Belden Inc.
3066	PryOutPlugs 文件：117.99 Kbytes Page：1 Pages	Heyco Heyco
3066	14MHzBandpassFilter 文件：75.78 Kbytes Page：3 Pages	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.
ADM3066E	IECESDProtected,500kbps/50MbpsRS-485Transceivers 文件：683.97 Kbytes Page：28 Pages	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

NCP3066SCBCKGEVB供应商更多...

更新时间：2024-5-1 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	NCP308MT090TBG	onsemi(安森美)	23+	DFN6(2x2)	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	NCP308MT120TBG	ON	2020+	WDFN-6	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市弘扬芯城科技有限公司	NCP308MT090TBG	onsemi(安森美)	23+	DFN6EP(2x2)	6000		询价
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深圳市芯睿晨电子有限公司	NCP308MT090TBG	onsemi	23+	6-WDFN	5000	只做原装,假一赔十	询价
深圳市惊羽科技有限公司	NCP308MT090TBG	ON-安森美	24+25+/26+27+	DFN-6.贴片	36218	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
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深圳市宝隆宏业科技有限公司	NCP308MT090TBG	ON/安森美	2122+	6-WDFN	24000	代理进口原装货源,假一赔十	询价

NCP3135MNTXG
降压开关稳压器IC正可调式0.6V1输出5A16-VFQFN裸露焊盘
2022-10-19
NCP3170ADR2G
www.58chip.com
2022-5-11
NCP302LSN38T1G 0N
www.hfxcom.com
2021-12-18
NCP302035MNTWG
DFN-8栅极驱动器，PDIP-20栅极驱动器，SOT-6高端栅极驱动器，双12A栅极驱动器，35V栅极驱动器，SOIC-28栅极驱动器
2020-7-28
NCP302LSN43T1G原装现货
NCP302LSN43T1G原装现货
2019-7-29
NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25ns的传播延迟了3000pF的负载和20ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围，高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压，高达30伏，以高达35五，两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用（外径）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低，一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26