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位置：首页 > IC中文资料第1633页 > NCP163

NCP163价格

参考价格：￥6.9927

型号：NCP1631DR2G 品牌：ON 备注：这里有NCP163多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NCP163批发/采购报价，NCP163行情走势销售排行榜，NCP163报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NCP163

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

文件：469.66 Kbytes Page：13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP163

LDO Regulator, Ultra-Low Noise and High PSRR, 250 mA

ONSEMI

安森美半导体

NCP1632A

2-Phase Power Factor Controller, Interleaved

The NCP1632A integrates a dual MOSFET driver for interleaved PFC applications. Interleaving consists of paralleling two small stages in lieu of a bigger one, more difficult to design. This approach has several merits like the ease of implementation, the use of smaller components or a better di

ONSEMI

安森美半导体

NCP1631

Interleaved, 2-Phase Power Factor Controller

文件：604.8 Kbytes Page：23 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP1631_10

Interleaved, 2-Phase Power Factor Controller

文件：605.83 Kbytes Page：23 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP1631_16

Interleaved, 2-Phase Power Factor Controller

文件：456.69 Kbytes Page：24 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP1631DR2G

Interleaved, 2-Phase Power Factor Controller

文件：604.8 Kbytes Page：23 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP1631DR2G

Interleaved, 2-Phase Power Factor Controller

文件：456.69 Kbytes Page：24 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP1631PFCGEVB

功能：功率因数校正 包装：盒 描述：BOARD DEMO NCP1631 INTERLEAV PFC 开发板，套件，编程器 评估和演示板及套件

ONSEMI

安森美半导体

NCP1632

临界导通模式（CrM）功率因数控制器，交错式

ONSEMI

安森美半导体

NCP1632

Interleaved, 2-Phase Power Factor Controller

文件：301.16 Kbytes Page：25 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP1632

Interleaved, 2-Phase Power Factor Controller

文件：392.11 Kbytes Page：25 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP1632_18

Interleaved, 2-Phase Power Factor Controller

文件：301.16 Kbytes Page：25 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP1632A

Critical Conduction Mode (CrM) Power Factor Controller, Interleaved

ONSEMI

安森美半导体

NCP1632DR2G

封装/外壳：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：管件 描述：IC PFC CTRLR CRM 16SOIC 集成电路（IC） PFC（功率因数校正）

ONSEMI

安森美半导体

NCP1632DR2G

Compact Intelligent Power Module Based Motor Evaluation Board with Interleaved Power Factor Correction

文件：2.70362 Mbytes Page：26 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP1632DR2G

Compact Intelligent Power Module (IPM) Motor Control Development Kit (MDK) 1 kW

文件：2.79432 Mbytes Page：28 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP1632DR2G

Interleaved, 2-Phase Power Factor Controller

文件：301.16 Kbytes Page：25 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP1632DR2G

Interleaved, 2-Phase Power Factor Controller

文件：392.11 Kbytes Page：25 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP163AFCS180T2G

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

文件：469.66 Kbytes Page：13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP163AFCS260T2G

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

文件：469.66 Kbytes Page：13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP163AFCS280T2G

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

文件：469.66 Kbytes Page：13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP163AFCS285T2G

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

文件：469.66 Kbytes Page：13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP163AFCS290T2G

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

文件：469.66 Kbytes Page：13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP163AFCS2925T2G

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

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ONSEMI

安森美半导体

NCP163AFCT180T2G

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

文件：469.66 Kbytes Page：13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP163AFCT260T2G

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

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安森美半导体

NCP163AFCT280T2G

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

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安森美半导体

NCP163AFCT285T2G

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

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安森美半导体

NCP163AFCT290T2G

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

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ONSEMI

安森美半导体

NCP163AFCT2925T2G

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

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ONSEMI

安森美半导体

NCP163AFCT300T2G

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

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安森美半导体

NCP163AMX120TBG

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

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安森美半导体

NCP163AMX130TBG

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

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ONSEMI

安森美半导体

NCP163AMX180TBG

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

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ONSEMI

安森美半导体

NCP163AMX1825TBG

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

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ONSEMI

安森美半导体

NCP163AMX190TBG

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

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ONSEMI

安森美半导体

NCP163AMX260TBG

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

文件：469.66 Kbytes Page：13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP163AMX275TBG

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

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ONSEMI

安森美半导体

NCP163AMX280TBG

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

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ONSEMI

安森美半导体

NCP163AMX285TBG

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

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ONSEMI

安森美半导体

NCP163AMX290TBG

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

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ONSEMI

安森美半导体

NCP163AMX300TBG

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

文件：469.66 Kbytes Page：13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP163AMX330TBG

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

文件：469.66 Kbytes Page：13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP163AMX500TBG

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

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ONSEMI

安森美半导体

NCP163BFCS180T2G

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

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ONSEMI

安森美半导体

NCP163BFCS2925T2G

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

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ONSEMI

安森美半导体

NCP163BFCT180T2G

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

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ONSEMI

安森美半导体

NCP163BFCT2925T2G

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

文件：469.66 Kbytes Page：13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP163BMX180TBG

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

文件：469.66 Kbytes Page：13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP163BMX1825TBG

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

文件：469.66 Kbytes Page：13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP163BMX275TBG

250 mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulator

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ONSEMI

安森美半导体

BYD163

Ultra fast low-loss rectifier

DESCRIPTION Cavity free cylindrical glass SOD81 package through Implotec™(1) technology. The SOD81 package is hermetically sealed and fatigue free as coefficients of expansion of all used parts are matched. FEATURES • Glass passivated • High maximum operating temperature • Low lea

PHILIPS

飞利浦

MIP163

Silicon MOS IC

PANASONIC

松下

NTE163A

Silicon NPN Transistor Horizontal Deflection

Description: The NTE163A is an NPN silicon transistor in a TO3 type case designed for use in large screen color deflection circuits. Features: • Collector–Emitter Voltage: VCEX = 1500V • Collector–Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 700V • Switching Times With Inductive Loads:

NTE

PN163NC

Silicon NPN Phototransistor

For optical control systems Features • High sensitivity • Fast response : tr = 4 µs (typ.) • Adoption of visible light cutoff resin • Ultraminiature, thin side-view type package

PANASONIC

松下

SMTPB163

TRISILTM

DESCRIPTION The SMTPBxx series has been designedto protect telecommunication equipment against lightning and transient induced by AC power lines. FEATURES BIDIRECTIONAL CROWBAR PROTECTION. BREAKDOWNVOLTAGE RANGE: From 62 V To 270 V. HOLDING CURRENT: IH= 150 mA min REPETITIVE PE

STMICROELECTRONICS

意法半导体

NCP163产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NCP163

  • 功能描述

    功率因数校正 IC 2 PHASE INTERLEAVE PFC

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 开关频率

    300 KHz

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-8

  • 封装

    Reel

NCP163供应商更多...

更新时间：2026-3-14 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市盈慧通电子有限公司
NCP163AMX500TBG
ON(安森美)
2511
XDFN-4
9850
电子元器件采购降本 30%!公司原厂直采,砍掉中间差价
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深圳市天芯威科技有限公司
NCP1632DR2G
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深圳市中联芯电子有限公司
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只做原装 有挂有货 假一赔十
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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柒号只做原装 现货价秒杀全网
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深圳市坤融电子科技有限公司
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中天科工半导体（深圳）有限公司
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ONSEMI/安森美全新特价NCP1631DR2G即刻询购立享优惠#长期有货
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深圳市纳立科技有限公司
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原装正品 香港现货
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千层芯半导体(深圳)有限公司
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4XDFN
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ON一级代理商 原装进口现货
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上海闻业电子科技有限公司
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25+
原厂封装
10000
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深圳市达恩科技有限公司
NCP1631DR2G
ON
25+
原装优势现货
2500
原装优势现货
询价

NCP163芯片相关品牌

NCP163规格书下载地址

NCP163参数引脚图相关

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    2019-9-5

  • NCP161BMX500TBG

    深圳科雨电子有限公司，联系人：卢小姐 手机：18975515225 原装正品 大量现货，有需要的可以联系我 QQ:97877805 微信：wei555222777

    2019-5-17

  • NCP1608BDR2G只做原装现货/假一罚十

    瀚佳科技(深圳）有限公司： 专业销售集成电路IC.单片机.内存闪存.二三级管模块等电子元器件。

    2019-1-8

  • NCP1651-单级功率因数控制器

    NCP345过压保护电路（OVP）保护敏感电子电路免受过压瞬态和电源电源故障时配合使用外部P鈭抍hannel场效应管。该装置的设计意义上的过压条件和快速断开之前，任何输入电压供给负载可能会发生损坏。过压保护由一个精确的参考电压，比较滞后，控制逻辑，和MOSFET栅极驱动器。OVP的是一个强大的BiCMOS工艺设计，是为了承受瞬态电压高达30 V。该设备是有一个外部的应用进行了优化AC / DC适配器或汽车配件充电器电源产品和/或充电的内置电池。额定过压阈值6.85 V，所以它是适用于单节锂鈭捍上的应用，以及3 / 4细胞镍镉/镍氢电池应用。 特点 过压关

    2012-12-16

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