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NCE60R900F

Super Junction MOSFET

NCEPOWER

新洁能

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.10891 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 4.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.9Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

ISC

无锡固电

600V 0.9(ohm) N-channel MOSFET

文件:1.14025 Mbytes Page:10 Pages

MGCHIP

600V 0.9(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP

更新时间:2026-3-14 17:04:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NCE新洁能
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TO-251
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TO-252
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