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NCE60P55K

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE60P55K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features ● VDS =-60V,ID =-55A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司

更新时间:2025-8-13 11:27:00
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