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NCE60P55K

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE60P55K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features ● VDS =-60V,ID =-55A RDS(ON)

NCEPOWER

新洁能

NCE60P55K

12-150V P-Channel Trench MOSFET

NCEPOWER

新洁能

更新时间:2026-1-2 16:10:00
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