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NCE60H30T

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE60H30T uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =60V,ID =300A RDS(ON)

NCEPOWER

新洁能

NCE60H30T

12-200V N-Channel Trench MOSFET

NCEPOWER

新洁能

更新时间:2025-11-18 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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