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NCE60H10F

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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NCEPOWER

新洁能

NCE60H10F

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

NCE60H10F

12-200V N-Channel Trench MOSFET

NCEPOWER

新洁能

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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NCEPOWER

新洁能

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE60H10D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. General Features ● VDS =60V,ID =100A RDS(ON)

NCEPOWER

新洁能

更新时间:2026-1-5 10:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NCE
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TO-220F
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TO-220F
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NCE新洁能
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TO-220F
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