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NCE40H29D

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE40H29D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =40V ,ID =290A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司

更新时间:2025-8-9 10:35:00
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