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NCE3420X

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE3420X uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch. General Features ● VDS = 20V,ID = 6A RDS(ON)

NCEPOWER

新洁能

NCE3420X

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

NCEPOWER

新洁能

N-Channel 250-V (D-S) MOSFET

Key Features: • Low rDS(on) trench technology • Low thermal impedance • Fast switching speed

AnalogPower

Beaded Ties

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Heyco

3/8 Square Drive Sockets, SAE

文件:158.63 Kbytes Page:3 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Ultralow Noise, High Accuracy

文件:993.6 Kbytes Page:32 Pages

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亚德诺

Micropower, High Accuracy Voltage References

文件:900.95 Kbytes Page:24 Pages

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亚德诺

更新时间:2026-1-2 15:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
无锡新洁能
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SOIC-8_150mil
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百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
VBSEMI/台湾微碧
24+
SOP8
60000
全新原装现货

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