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NCE30H28

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE30H28 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V ,ID =280A RDS(ON)

NCEPOWER

新洁能

NCE30H28

12-200V N-Channel Trench MOSFET

NCEPOWER

新洁能

更新时间:2026-1-1 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NCE/新洁能
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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