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NCE042N30K

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE042N30K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V,ID =100A RDS(ON) =3.2mΩ @ VGS=10V RDS(ON) =6.8mΩ @ VGS=4.5V ● High density cell design f

NCEPOWER

新洁能

NCE042N30K

12-200V N-Channel Trench MOSFET

NCEPOWER

新洁能

更新时间:2026-1-1 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NCE/新洁能
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原装正品价格优惠,志同道合共谋发展
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