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NCE020N30K

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE020N30K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V,ID =180A RDS(ON) =1.9 mΩ @ VGS=10V (Typ) RDS(ON) =2.6 mΩ @ VGS=4.5V (Typ) ● High density

NCEPOWER

新洁能

更新时间:2026-1-2 15:51:00
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