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Silicon Complementary Transistors High Voltage Power Amplifier

Description: The NTE2305 (NPN) and NTE2306 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO218 type package designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits. Features: • High Collector–Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 16

NTE

丝印代码:A5***;P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFETs: 1.8 V Rated

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

PLLatinumTM 550 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

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国半

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更新时间:2026-3-14 12:16:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NTE
23+
65480
SANYO/三洋
23+
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36500
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2022+
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NTE ELECTRONICS INC
2023+
SMD
11270
安罗世纪电子只做原装正品货

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