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MGF4953B中文资料

厂家型号

MGF4953B

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5

功能描述

SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT Leadless Ceramic Package

数据手册

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生产厂商

MITSUBISHI

MGF4953B数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The MGF4953B super-low noise HEMT (High Electron Mobility Transistor) is designed for use in K band amplifiers.

The lead-less ceramic package assures minimum parasitic losses.

FEATURES

Low noise figure @ f=20GHz

NFmin. = 0.55dB (Typ.)

High associated gain @ f=20GHz

Gs = 10.5dB (Typ.)

APPLICATION

C to K band low noise amplifiers

MGF4953B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MGF4953B

  • 制造商

    MITSUBISHI

  • 制造商全称

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述

    SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT Leadless Ceramic Package

更新时间:2025-10-6 9:03:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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