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MGF4951中文资料

厂家型号

MGF4951

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4

功能描述

SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT

数据手册

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生产厂商

MITSUBISHI

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DESCRIPTION

The MGF4951A/MGF4952A super-low noise HEMT (High Electron Mobility Transistor) is designed for use in C to K band amplifiers. The lead-less ceramic package assures minimum parasitic losses.

FEATURES

Low noise figure @ f=12GHz

MGF4951A : NFmin. = 0.40dB (Typ.)

MGF4952A : NFmin. = 0.60dB (Typ.)

High associated gain @ f=12GHz

Gs = 12.0dB (Typ.)

APPLICATION

C to K band low noise amplifiers

MGF4951产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MGF4951

  • 制造商

    MITSUBISHI

  • 制造商全称

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述

    SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT

更新时间:2025-11-24 15:57:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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