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1N6819R中文资料

厂家型号

1N6819R

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功能描述

LOW LEAKAGE CURRENT SCHOTTKY DIODE

数据手册

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生产厂商

MICROSEMI

1N6819R数据手册规格书PDF详情

Features

● Tungsten schottky barrier

● Oxide passivated structure for very low leakage currents

● Guard ring protection for increased reverse energy capability

● Epitaxial structure minimizes forward voltage drop

● Hermetically sealed, low profile ceramic surface mount power package

● Low package inductance

● Very low thermal resistance

● Available as standard polarity (strap is anode: 1N6819) and reverse

polarity (strap is cathode: 1N6819R)

1N6819R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    1N6819R

  • 制造商

    MICROSEMI

  • 制造商全称

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    LOW LEAKAGE CURRENT SCHOTTKY DIODE

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MICROSEMI
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