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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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MV32001 | GaAs Hyperabrupt Varactors 分立 | MICROCHIP 微芯科技 |   | |
MV32001 | GaAs Varactor Diodes Hyperabrupt 文件：189.63 Kbytes Page：4 Pages | MICROSEMI 美高森美 | | |
包装：托盘 描述：GAAS TVAR NON HERMETIC PLASTIC S 分立半导体产品 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） | MICROCHIP 微芯科技 | | ||
NPN microwave power transistors DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a metal ceramic SOT440A flange package with base connected to the flange. FEATURES • Diffused emitter ballasting resistors providing excellent current sharing and withstanding a high VSWR • Interdigitated structure provides | PHILIPS 飞利浦 | | ||
Surface Mount Network 文件：271.57 Kbytes Page：3 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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MV32001产品属性
- 类型
描述
- 型号
MV32001
- 制造商
MICROSEMI
- 制造商全称
Microsemi Corporation
- 功能描述
GaAs Varactor Diodes Hyperabrupt
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