| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR Power Field Effect Transistor P-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate | Motorola 摩托罗拉 |   | ||
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G12P06K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters | GOFORD 谷峰半导体 | | ||
isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.3Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
Power Field Effect Transistor 文件：95.67 Kbytes Page：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | ||
Power Field Effect Transistor 文件：95.67 Kbytes Page：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-10-30MTMC8E02LBF
MTMC8E02LBF，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291，
2019-4-9
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