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G10P03	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G10P03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
RFD10P03	10A, 30V, 0.200W, Logic Level P-Channel Power MOSFET 10A, 30V, 0.200 Ohm, Logic Level, P-Channel Power MOSFET These products are P-Channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. The	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
RFD10P03L	10A, 30V, 0.200 Ohm, Logic Level, P-Channel Power MOSFET 10A, 30V, 0.200 Ohm, Logic Level, P-Channel Power MOSFET These products are P-Channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. The	Intersil	Intersil
10P03L	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.90259 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
MCG10P03	P-Channel Power MOSFET 文件：911.63 Kbytes Page：5 Pages	MCC	MCC

MTP10P03供应商更多...

更新时间：2025-12-26 23:01:01

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原厂原包装绝无虚假假一罚十
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2019-10-30
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2019-4-9