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TMOS4 POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

TMOS IV Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode DPAK for Surface Mount or Insertion Mount

Motorola

摩托罗拉

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 50V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.1Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

ISC

无锡固电

SURFCOIL SMT INDUCTORS

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更新时间:2025-10-1 11:09:01
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