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MTV32N25E	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=80mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MTW32N25	TMOSPOWERFET32AMPERES250VOLTSRDS(on)=0.08OHM N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplica	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
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MTV32N25E	PowerFieldEffectTransistor 文件：284.21 Kbytes Page：11 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

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更新时间：2024-6-5 20:00:01

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2020-6-4
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