| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description The AO4906 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in DC-DC converters. A Schottky diode is co-packaged in parallel with the synchronous | AOSMD 万国半导体 |   | ||
Dual N-Channel MOSFET ■ Features N-Channel 1 ● VDS (V) = 30V ● ID = 8.5 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) | KEXIN 科信电子 | | ||
Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.09623 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Adjustable RF Inductors 文件：29.55 Kbytes Page：1 Pages | Bourns 伯恩斯 | | ||
Adjustable RF Inductors 文件：29.55 Kbytes Page：1 Pages | Bourns 伯恩斯 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AO |
22+ |
SOP-8 |
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AO/万代 |
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AOS/万代 |
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AOS/万代全新特价AO4906即刻询购立享优惠#长期有货 |
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2022-2-25MTB020N03KV8 CYSTECH
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2020-9-28
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