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Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount

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ONSEMI

安森美半导体

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch

VBSEMI

微碧半导体

N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate

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ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-12-18 14:24:01
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