| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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MTD4P06RL | N-Channel60V(D-S)MOSFET 文件：1.00408 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  |   |
POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 |  | | |
iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=-4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter, | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
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P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET 文件：2.88383 Mbytes Page：7 Pages | FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司 |  | | |
P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET 文件：1.00162 Mbytes Page：6 Pages | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2020-9-28
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