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MTD10N05E1

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 50V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.1Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

ISC

无锡固电

MTD10N05E1

TMOS POWER FETs 10 AMPERES RDS(on) = 0.1 Ω 50 VOLTS

ETC

知名厂家

更新时间:2025-10-1 16:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBSEMI/微碧半导体
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