型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MTB50P03HDLG

PowerMOSFET50Amps,30Volts,LogicLevelP?묬hannelD2PAK

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MTB50P03HDLG

P-ChannelPowerMOSFET

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-30V,-47A,RDS(ON)=20mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=32mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-47A,RDS(ON)=20mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=32mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

P-Channel30V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

P-Channel30V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

MTB50P03HDLG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MTB50P03HDLG

  • 功能描述

    MOSFET PFET 30V 50A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-16 19:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
23+
TO-263
20000
原厂原装正品现货
ON
1822+
TO-252
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
ON/安森美
23+
TO-263
6000
原装正品,支持实单
ON
2023+
TO-263
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
ON
TO-263
699839
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
TI
2022+
SIP4
6000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
ON
15+
TO-263
255
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ON/安森美
23+
NA/
32365
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ON/安森美
22+
TO-263
94245
ON
22+
D2PAK
3000
原装正品,支持实单

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