型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MTB2P50ET4G

PowerMOSFET2Amps,500VoltsP?묬hannelD2PAK

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MTB2P50ET4G

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

PowerMOSFET2Amps,500VoltsP?묬hannelD2PAK

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

MTB2P50ET4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MTB2P50ET4G

  • 功能描述

    MOSFET PFET 500V 2A 6O

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-5-30 16:12:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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