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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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128K x 8 SRAM WITH DUAL CHIP ENABLE AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS GENERAL DESCRIPTION The MT5C1008 SRAM employs high-speed, low power CMOS designs using a four-transistor memory cell, and are fabricated using double-layer metal, double-layer polysilicon technology. FEATURES • High Speed: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55 and 70 ns • Battery Backup: 2V data retentio | AUSTIN |   | ||
128K x 8 SRAM WITH DUAL CHIP ENABLE AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS GENERAL DESCRIPTION The MT5C1008 SRAM employs high-speed, low power CMOS designs using a four-transistor memory cell, and are fabricated using double-layer metal, double-layer polysilicon technology. FEATURES • High Speed: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55 and 70 ns • Battery Backup: 2V data retentio | AUSTIN | |
MT5C1008SOJ-20/IT产品属性
- 类型
描述
- 型号
MT5C1008SOJ-20/IT
- 制造商
Micross Components
- 功能描述
SRAM, 1MB - Trays
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-11-21
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