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MT5C1008F-20LSLASH883C

128Kx8SRAMWITHDUALCHIPENABLEAVAILABLEASMILITARYSPECIFICATIONS

GENERALDESCRIPTION TheMT5C1008SRAMemployshigh-speed,lowpowerCMOSdesignsusingafour-transistormemorycell,andarefabricatedusingdouble-layermetal,double-layerpolysilicontechnology. FEATURES •HighSpeed:12,15,20,25,35,45,55and70ns •BatteryBackup:2Vdataretentio

AUSTIN

Austin Semiconductor

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更新时间:2025-8-3 23:00:00
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