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MT5C1008EC-12

128Kx8SRAMWITHDUALCHIPENABLEAVAILABLEASMILITARYSPECIFICATIONS

GENERALDESCRIPTION TheMT5C1008SRAMemployshigh-speed,lowpowerCMOSdesignsusingafour-transistormemorycell,andarefabricatedusingdouble-layermetal,double-layerpolysilicontechnology. FEATURES •HighSpeed:12,15,20,25,35,45,55and70ns •BatteryBackup:2Vdataretentio

AUSTIN

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128Kx8SRAMWITHDUALCHIPENABLEAVAILABLEASMILITARYSPECIFICATIONS

GENERALDESCRIPTION TheMT5C1008SRAMemployshigh-speed,lowpowerCMOSdesignsusingafour-transistormemorycell,andarefabricatedusingdouble-layermetal,double-layerpolysilicontechnology. FEATURES •HighSpeed:12,15,20,25,35,45,55and70ns •BatteryBackup:2Vdataretentio

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MT5C1008EC-12产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MT5C1008EC-12

  • 制造商

    AUSTIN

  • 制造商全称

    Austin Semiconductor

  • 功能描述

    128K x 8 SRAM WITH DUAL CHIP ENABLE AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS

更新时间:2024-6-13 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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