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128K x 8 SRAM WITH DUAL CHIP ENABLE AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS

GENERAL DESCRIPTION The MT5C1008 SRAM employs high-speed, low power CMOS designs using a four-transistor memory cell, and are fabricated using double-layer metal, double-layer polysilicon technology. FEATURES • High Speed: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55 and 70 ns • Battery Backup: 2V data retentio

AUSTIN

128K x 8 SRAM WITH DUAL CHIP ENABLE AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS

GENERAL DESCRIPTION The MT5C1008 SRAM employs high-speed, low power CMOS designs using a four-transistor memory cell, and are fabricated using double-layer metal, double-layer polysilicon technology. FEATURES • High Speed: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55 and 70 ns • Battery Backup: 2V data retentio

AUSTIN

MT5C1008CW-55L/XT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MT5C1008CW-55L/XT

  • 制造商

    Micross Components

  • 功能描述

    SRAM, 1MB - Rail/Tube

更新时间:2026-2-2 19:13:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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