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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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MT5C1001DCJ-70SLASHIT | 1M x 1 SRAM SRAM MEMORY ARRAY 文件：100.29 Kbytes Page：13 Pages | AUSTIN |   | |
SRAM GENERAL DESCRIPTION The MT5C1001 employs low power, high-performance silicon-gate CMOS technology. Static design eliminates the need for external clocks or timing strobes while CMOS circuitry reduces power consumption and provides for greater reliability. FEATURES • High Speed: 20, 25, 35, and | AUSTIN | | ||
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2020-11-21
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