| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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MT4946 | Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.08903 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 |   | |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 4946 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● High power and current handing capability ● Lead | TUOFENG 拓锋半导体 | | ||
Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.09215 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
VHB Tape - Specialty Tapes 文件：735.51 Kbytes Page：9 Pages | 3M | | ||
Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.95065 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.08485 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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