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SYNCHRONOUS DRAM

General Description The 256Mb SDRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory containing 268,435,456 bits. It is internally configured as a quad-bank DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Each of the x4’s 67,108,864-

Micron

美光

SYNCHRONOUS DRAM 256Mb: x4, x8, x16 SDRAM

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Synchronous DRAM 256Mb: x4, x8, x16 SDRAM

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256Mb: x4, x8, x16 SDRAM

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SDR SDRAM

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SDR SDRAM

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SDRAM

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SDRAM

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SDRAM 256M X16 TSOP

Micron

美光

封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 包装:托盘 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 包装:托盘 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

256Mb: x4, x8, x16 SDRAM

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MT48LC16M16A2T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MT48LC16M16A2T

  • 制造商

    Micron Technology Inc

  • 功能描述

    DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16Mx16 3.3V

  • 制造商

    Micron Technology Inc

  • 功能描述

    16MX16 SDRAM PLASTIC IND TEMP TSOP 3.3V - Trays

更新时间:2025-12-18 9:52:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MICRON
25+23+
TSOP
39075
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micron(镁光)
24+
标准封装
13048
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MICRON/美光
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