型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MT48LC16M16A2BG

SDR SDRAM

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Micron

美光

SYNCHRONOUS DRAM

General Description The 256Mb SDRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory containing 268,435,456 bits. It is internally configured as a quad-bank DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Each of the x4’s 67,108,864-

Micron

美光

SYNCHRONOUS DRAM 256Mb: x4, x8, x16 SDRAM

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Micron

美光

Synchronous DRAM 256Mb: x4, x8, x16 SDRAM

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Micron

美光

256Mb: x4, x8, x16 SDRAM

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Micron

美光

SDR SDRAM

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Micron

美光

SDRAM

Micron

美光

SDRAM 256M X16 VFBGA

Micron

美光

SDRAM

Micron

美光

封装/外壳:54-VFBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54VFBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:54-VFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54VFBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

MT48LC16M16A2BG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MT48LC16M16A2BG

  • 制造商

    Micron Technology Inc

  • 功能描述

    DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16Mx16 3.3V 54-Pin VFBGA Tray

  • 制造商

    Micron Technology

  • 功能描述

    DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16Mx16 3.3V 54-Pin VFBGA Tray

更新时间:2025-9-27 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
micron(镁光)
24+
标准封装
21048
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NA
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