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MT47H256M4HR-187EIT	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup	MICRON 美光	MICRON
MT47H256M4HR-187EAT	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup	MICRON 美光	MICRON
MT47H256M4HR-187EL	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup	MICRON 美光	MICRON

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更新时间：2026-1-30 12:11:00

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深圳市威尔健半导体有限公司	MT47H256M4SH-25E:M	MICRON/美光	23+	BGA	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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MT47H32M16NF-25EAAT:H进口原装现货
本公司销售原装正品价格优惠欢迎订购支持实单
2021-9-28
MT47H32M16NF-25E:H
SDRAM 16 bit 动态随机存取存储器 , BGA-54 SDRAM 动态随机存取存储器 , SDRAM 32 bit 动态随机存取存储器 , 4 Gbit SDRAM - DDR3 动态随机存取存储器 , 512 Mbit SDRAM 32 bit 133 MHz - 40 C 动态随机存取存储器 , 512 Mbit TSOP-54 SDRAM 16 bit 动态随机存取存储器
2020-7-8
MT47H128M8SH-25E IT:M
MT47H128M8SH-25E IT:M
2020-4-22
MT47H256M8EB-25E IT:C
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2020-4-22
MT47H128M16RT-25EIT:C公司原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司专业进口电子元器件代理商
2020-1-13
MT47H128M16RT-25EIT:C原装现货，诚信经营
MT47H128M16RT-25E IT:C
2019-7-4