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MT47H256M4HQ-25AT

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup

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DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup

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MT47H256M4HQ-25AT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MT47H256M4HQ-25AT

  • 制造商

    MICRON

  • 制造商全称

    Micron Technology

  • 功能描述

    DDR2 SDRAM

更新时间:2026-2-4 11:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MT
BGA
428
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