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MT47H128M8JN-3:H

封装/外壳:60-TFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA 集成电路(IC) 存储器

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MT47H128M8JN-3:H

DDR2 1G X8 FBGA

MICRON

美光

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup

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DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup

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DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup

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DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup

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MT47H128M8JN-3:H产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MT47H128M8JN-3:H

  • 功能描述

    IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60FBGA

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    72

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    RAM

  • 存储器类型

    SRAM - 同步

  • 存储容量

    4.5M(256K x 18)

  • 速度

    133MHz

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    3.135 V ~ 3.465 V

  • 工作温度

    0°C ~ 70°C

  • 封装/外壳

    100-LQFP

  • 供应商设备封装

    100-TQFP(14x20)

  • 包装

    托盘

更新时间:2026-2-19 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
25+
60-FBGA(8x10)
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