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MT47H128M8CF-187E:H	封装/外壳：60-TFBGA 包装：托盘描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA 集成电路（IC）存储器	ELPIDA 美光科技	ELPIDA
MT47H128M8CF-187E:H TR	封装/外壳：60-TFBGA 包装：卷带（TR）描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA 集成电路（IC）存储器	ELPIDA 美光科技	ELPIDA
MT47H128M8CF-187EAT	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup	Micron 镁光	Micron
MT47H128M8CF-187EIT	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup	Micron 镁光	Micron
MT47H128M8CF-187EL	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup	Micron 镁光	Micron

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更新时间：2025-8-7 20:00:00

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深圳市科芯源微电子有限公司	MT47H128M8CF-187E:H	MICRON/美光	25+	BGA	54648	百分百原装现货实单必成欢迎询价	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	MT47H128M8CF-187E:H	MICRON	20+	BGA	32970	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
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MT47H128M16RT-25E:C 深圳旭亨半导体有限公司
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2021-4-15
MT47H32M16NF-25E:H
SDRAM 16 bit 动态随机存取存储器 , BGA-54 SDRAM 动态随机存取存储器 , SDRAM 32 bit 动态随机存取存储器 , 4 Gbit SDRAM - DDR3 动态随机存取存储器 , 512 Mbit SDRAM 32 bit 133 MHz - 40 C 动态随机存取存储器 , 512 Mbit TSOP-54 SDRAM 16 bit 动态随机存取存储器
2020-7-8
MT47H128M8SH-25E IT:M
MT47H128M8SH-25E IT:M
2020-4-22
MT47H256M8EB-25E IT:C
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2020-1-13
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MT47H128M16RT-25E IT:C
2019-7-4