型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MT41J64M16JT-125:G

封装/外壳:96-TFBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

MT41J64M16JT-125:G

DDR3 1G X16 FBGA

Micron

美光

封装/外壳:96-TFBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

DDR3 SDRAM MT41J256M4 ??32 Meg x 4 x 8 banks MT41J128M8 ??16 Meg x 8 x 8 banks MT41J64M16 ??8 Meg x 16 x 8 banks

MT41J256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT41J128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT41J64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks DDR3 SDRAM uses a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture with an interface designed to transfer

Micron

美光

MT41J64M16JT-125:G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MT41J64M16JT-125:G

  • 功能描述

    IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96FBGA

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    72

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    RAM

  • 存储器类型

    SRAM - 同步

  • 存储容量

    4.5M(256K x 18)

  • 速度

    133MHz

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    3.135 V ~ 3.465 V

  • 工作温度

    0°C ~ 70°C

  • 封装/外壳

    100-LQFP

  • 供应商设备封装

    100-TQFP(14x20)

  • 包装

    托盘

更新时间:2025-11-17 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
micron(镁光)
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标准封装
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