16Gb: x4, x8, x16 DDR4 SDRAM

Features • VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV • VPP = 2.5V, –125mV, +250mV • On-die, internal, adjustable VREFDQ generation • 1.2V pseudo open-drain I/O • TC maximum up to 95°C – 64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C – 32ms, 8192-cycle refresh at >85°C to 95°C • 16 internal banks (x4, x8): 4 groups of

DDR4 SDRAM

TwinDie 1.2V DDR4 SDRAM

文件：466.6 Kbytes Page：21 Pages

IC DRAM 16G PARALLEL 1.33GHZ

封装/外壳：78-TFBGA 包装：卷带（TR） 描述：IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA 集成电路（IC） 存储器

DDR4 SDRAM

TwinDie 1.2V DDR4 SDRAM

文件：466.6 Kbytes Page：21 Pages

封装/外壳：78-TFBGA 包装：托盘 描述：IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA 集成电路（IC） 存储器