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MT3S111	丝印代码：R5；Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MT3S111	Radio-frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor Application Scope：VHF/UHF band low noise, low distortion amplifier\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 0.1 A \nCollector power dissipation PC 160 mW \nCollector power dissipation (mounted on board) PC 700 mW \nJunction temperature Tj 150 ℃ \nCollector-emitter voltage VCEO 6 V ;	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MT3S111	VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications 文件：167.66 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MT3S111P	丝印代码：R5；Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MT3S111P	Radio-frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor Application Scope：VHF/UHF band low noise, low distortion amplifier\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 0.1 A \nCollector power dissipation PC 300 mW \nCollector power dissipation (mounted on board) PC 1000 mW \nJunction temperature Tj 150 ℃ \nCollector-emitter voltage VCEO 6 V ;	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MT3S111TU	丝印代码：R5；Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MT3S111TU	Radio-frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor Application Scope：VHF/UHF band low noise, low distortion amplifier\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current IC 0.1 A \nCollector power dissipation (mounted on board) PC 800 mW \nJunction temperature Tj 150 ℃ \nCollector-emitter voltage VCEO 6 V ;	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MT3S111P	VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications 文件：169.96 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MT3S111P(TE12L,F)	封装/外壳：TO-243AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频	ETC 知名厂家	ETC
MT3S111TU	VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Application 文件：162.64 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MT3S111TU,LF	封装/外壳：3-SMD，扁平引线包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频	ETC 知名厂家	ETC

MT3S111产品属性

类型
描述
application scope：
VHF/UHF band low noise
VCEO (Max) (V)：
6
IC (Max) (A)：
0.1
fT (Typ.) (GHz)：
11.5
2 (Typ.) (dB)：
12
NF (Typ.) (dB)：
0.9
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
S-Mini
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.5 x 1.1
Package Size(mm^2)：
7.25

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更新时间：2026-7-29 17:36:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市星宇佳科技有限公司	MT3S111P	8000	B	SOT-89	2041	92	询价
深圳市威雅利发展有限公司	MT3S111TULF	TOSHIBA	18+	SOT323	6000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	MT3S111TUTE85L	TOSH	25+	NA	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市振宏微科技有限公司	MT3S111P	SOT-89	25+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
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MT40A1G16RC-062E:B MICRON 原装现货长期供应 0755-88879678 / 131 6803 6460 QQ：2880524281
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MT3123AQAR 同步降压转换器芯片 M3TEK MT系列进口原装现货深圳市达恩科技有限公司电话：0755-83256279 刘小姐：13510619928/微信同号，QQ:3171516190
2019-10-11

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