| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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MSC2X31 | Dual Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes 文件：1.71866 Mbytes Page：7 Pages | Microsemi 美高森美 |   | |
SiC Schottky Barrier Diodes FEATURES ·Low forward voltage ·Low leakage current ·Avalanche-energy rated ·RoHS compliant ·Isolated voltage to 2500 V APPLICATIONS ·Power factor correction (PFC) · Anti-parallel diode ·Motor controllers · Freewheeling diode · Snubber/clamp diode | ISC 无锡固电 | | ||
Dual Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes 文件：1.71866 Mbytes Page：7 Pages | Microsemi 美高森美 | | ||
包装：管件 描述：SIC SBD 1200 V 30 A DUAL PARALLE 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | Microchip 微芯科技 | | ||
包装：管件 描述：SIC SBD 1700 V 30 A DUAL PARALLE 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | Microchip 微芯科技 | | ||
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) Features • 2 independent FRED in 1 package • Isolation voltage 3000 V~ • Planar passivated chips • Leads suitable for PC board soldering • Very short recovery time • Soft recovery behaviour Applications • Antiparallel diode for high frequency switching devices • Anti saturation diode • S | IXYS | | ||
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) 文件：151.24 Kbytes Page：2 Pages | POWERSEM Powersem GmbH, | | ||
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) 文件：153.79 Kbytes Page：2 Pages | POWERSEM Powersem GmbH, | | ||
Fast Recovery Fast Recovery 文件：152.59 Kbytes Page：2 Pages | POWERSEM Powersem GmbH, | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microchip(微芯) |
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2019-3-7
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