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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRFG35010MT1 | Gallium Arsenide PHEMT 3.5 GHz, 9 W, 12 V POWER FET GaAs PHEMT Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies from 1.8 to 3.6 GHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB linear base station applications. • Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts, IDQ = 180 | MOTOROLA 摩托罗拉 |   | |
MRFG35010MT1 | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies from 1.8 to 3.6 GHz. This device is unmatched and is suitable for use in Class AB linear base station applications. • Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, | FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | |
MRFG35010MT1 | 封装/外壳：PLD-1.5 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRFG35010MT1 | 3.5 GHz, 9 W, 12 V Power FET GaAs PHEMT | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRFG35010MT1产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRFG35010MT1
- 功能描述
MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列
-
- 产品目录绘图
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装
3,000
- 系列
-
- 晶体管类型
N 通道 JFET
- 频率
-
- 增益
- 电压 -
- 测试
-
- 额定电流
30mA
- 噪音数据
- 电流 -
- 测试
- 功率 -
- 输出
- 电压 -
- 额定
25V
- 封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
- 包装
带卷(TR)
- 产品目录页面
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
24+ |
199 |
现货供应 |
||||
Freescale |
23+ |
49 |
专做原装正品,假一罚百! |
||||
Freescale |
26+ |
SMD |
12000 |
原装，正品 |
|||
FREESCALE |
0505+ |
SMD |
45 |
||||
Freescale |
24+ |
SMD |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
FREESCALE |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
原厂 |
23+ |
SMD |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
Freescale |
24+ |
49 |
|||||
恩XP |
22+ |
PLD1.5 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
FREESCALE |
2023+ |
SMD |
8635 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
MRFG35010MT1规格书下载地址
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