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GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor

GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor DesignedforWiMAX,WLL/MMDSorUMTSdriverandfinalapplications.Characterizedfrom500to5000MHz.DeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABorClassAlinearbasestationapplications. •TypicalSingle-CarrierW-CDMAPer

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

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GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor

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知名厂家

更新时间:2025-8-2 18:03:01
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Freescal
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