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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRFG35003N6AT1 | GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor 3.5GHz,3W,6VPOWERFETGaAsPHEMT DesignedforWLL/MMDS/BWAorUMTSdriverapplicationswithfrequenciesfrom500to5000MHz.DeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABCustomerPremiseEquipment(CPE)applications. •TypicalSingle-CarrierW-CDMAPerformance:VDD=6Volts,I | freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔 |  |   |
MRFG35003N6AT1 | GalliumArsenidePHEMT 文件：260.769 Kbytes Page：11 Pages | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 |  | |
MRFG35003N6AT1 | 封装/外壳：PLD-1.5 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 | | |
MRFG35003N6AT1产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRFG35003N6AT1
- 功能描述
射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
08+ |
PLD1.5 |
631 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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NXP/恩智浦 |
21+ |
PLD-1.5 |
28680 |
公司只做原装,诚信经营 |
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23+ |
N/A |
49500 |
正品授权货源可靠 |
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NXP/恩智浦 |
2022+ |
PLD-1.5 |
6900 |
原厂原装,假一罚十 |
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NXP/恩智浦 |
22+ |
PLD-1.5 |
8880 |
原装认准芯泽盛世！ |
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NXP/恩智浦 |
2022+ |
PLD-1.5 |
8080 |
100%进口原装正品现货,公司原装现货众多欢迎加微信咨 |
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FREESCALE |
23+ |
NA/ |
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Freescale |
2018+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
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FREESCALE |
21+ |
PLD1.5 |
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十年老店,原装正品 |
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NXP/恩智浦 |
23+ |
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2020-11-24
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