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MRFG35003N6AT1

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

3.5 GHz, 3 W, 6 V POWER FET GaAs PHEMT Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies from 500 to 5000 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB Customer Premise Equipment (CPE) applications. • Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 6 Volts, I

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRFG35003N6AT1

Gallium Arsenide PHEMT

ETC

知名厂家

MRFG35003N6AT1

封装/外壳:PLD-1.5 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRFG35003N6AT1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRFG35003N6AT1

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5

  • RoHS

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

更新时间:2025-11-24 11:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FREESCALE
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