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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRFG35003N6AT1 | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor 3.5 GHz, 3 W, 6 V POWER FET GaAs PHEMT Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies from 500 to 5000 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB Customer Premise Equipment (CPE) applications. • Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 6 Volts, I | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRFG35003N6AT1 | Gallium Arsenide PHEMT | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRFG35003N6AT1 | 封装/外壳：PLD-1.5 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRFG35003N6AT1产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRFG35003N6AT1
- 功能描述
射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
24+ |
NA/ |
633 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
FREESCALE |
08+ |
PLD1.5 |
631 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FREESCALE |
22+ |
PLD1.5 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
恩XP |
24+ |
PLD-1.5 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
|||
恩XP |
23+ |
PLD-1.5 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
|||
Freescale |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
恩XP |
22+ |
PLD-1.5 |
12000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
|||
恩XP |
21+ |
PLD-1.5 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
|||
FREESCALE |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
恩XP |
24+ |
PLD-1.5 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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2020-11-24
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