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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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MRFG35003MT1 | RF Reference Design Library Gallium Arsenide PHEMT RF Reference Design Library Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistors Device Characteristics (From Device Data Sheet) Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies from 1.8 to 3.6 GHz. Devices are unmatched and are suitable for use in Class AB linear bas | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRFG35003MT1 | The RF GaAs Line GALLIUM ARSENIDE PHEMT RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR The RF GaAs Line Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies from 1.8 to 3.6 GHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB linear base station applications. • Typical W–CDMA Performance: –42 dBc A | Motorola 摩托罗拉 | | |
MRFG35003MT1 | 封装/外壳：PLD-1.5 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRFG35003MT1 | 3.5 GHz, 3 W, 12 V Power FET GaAs PHEMT | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRFG35003MT1产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRFG35003MT1
- 功能描述
MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列
-
- 产品目录绘图
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装
3,000
- 系列
-
- 晶体管类型
N 通道 JFET
- 频率
-
- 增益
- 电压 -
- 测试
-
- 额定电流
30mA
- 噪音数据
- 电流 -
- 测试
- 功率 -
- 输出
- 电压 -
- 额定
25V
- 封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
- 包装
带卷(TR)
- 产品目录页面
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
78000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
FREESCALE |
24+ |
NA/ |
633 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
恩XP |
25+ |
PLD-1.5 |
6000 |
原厂原装 欢迎询价 |
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恩XP |
25+ |
PLD-1.5 |
8880 |
原装认准芯泽盛世！ |
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恩XP |
25+ |
PLD-1.5 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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FREESCALE |
23+ |
PLD1.5 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
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FREESCALE |
23+ |
PLD1.5 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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freescale |
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PLD 1.5 |
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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恩XP |
24+ |
PLD-1.5 |
30000 |
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恩XP |
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PLD1.5 |
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