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MRFG35003MT1

RF Reference Design Library Gallium Arsenide PHEMT

RF Reference Design Library Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistors Device Characteristics (From Device Data Sheet) Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies from 1.8 to 3.6 GHz. Devices are unmatched and are suitable for use in Class AB linear bas

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRFG35003MT1

The RF GaAs Line GALLIUM ARSENIDE PHEMT RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

The RF GaAs Line Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies from 1.8 to 3.6 GHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB linear base station applications. • Typical W–CDMA Performance: –42 dBc A

MOTOROLA

摩托罗拉

MRFG35003MT1

封装/外壳:PLD-1.5 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRFG35003MT1

3.5 GHz, 3 W, 12 V Power FET GaAs PHEMT

ETC

知名厂家

MRFG35003MT1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRFG35003MT1

  • 功能描述

    MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

更新时间:2026-3-16 17:04:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
25+
PLD-1.5
30000
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