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MRFE6S9135HSR3

N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakethemidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplica

freescaleFreescaleiscreatingasmarter

飞思卡尔

freescale
MRFE6S9135HSR3

封装/外壳:NI-880S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 66V 940MHZ NI-880S 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

MRFE6S9135HSR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRFE6S9135HSR3

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 135W NI880S

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2024-6-22 8:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FREESC
23+
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NXP/恩智浦
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